新金属芯片能提高存储速度百倍
>  更快、更密布的数据存储改造即将来临了吗?据英国《天然·物理学》杂志近来宣布的一项研讨,一个美国联合研讨团队使用层状二碲化钨制成了二维(2D)金属芯片,其厚度仅三个原子!在更节能的一起,贮存速度提高了100倍之多,为开发下一代数据存储资料奠定了根底。  当今世界所发生的数据比以往任何时候都多,但是咱们当时的存储系统已挨近巨细和密度的极限,因而迫切需要相关技能改造。科学家正在研讨数据的其他保存方法,包含存储在激光蚀刻的载玻片、严寒分子、单个氢原子、全息胶片乃至DNA上。  在这次的新研讨中,美国斯坦福大学、加州大学伯克利分校和德克萨斯A&M大学的研讨人员尝试了另一种办法,他们研制的新系统由二碲化钨金属组成,摆放成一堆超薄层,每层仅有3个原子厚。其可替代硅芯片存储数据,且比硅芯片更密布、更小、更快,也更节能。  研讨人员对二碲化钨薄层结构施加细小电流,使其奇数层相对于偶数层发生安稳的偏移,并使用奇偶层的摆放来存储二进制数据。数据写入后,他们再经过一种称为贝利曲率的量子特性,在不搅扰摆放的情况下读取数据。  团队表明,与现有的根据硅的数据存储系统比较,新系统具有巨大优势——它能够将更多的数据填充到极小的物理空间中,并且十分节能。此外,其偏移发生得如此之快,以至于数据写入速度能够比现有技能快100倍。  现在,团队已为该规划申请了专利。他们还在研讨下一步改善的办法,例如寻觅除二碲化钨之外的其他2D资料。研讨人员表明,对超薄层进行十分小的调整,就会对它的功用特性发生很大的影响,而人们能够使用这一常识来规划新式节能设备,以完成可继续发展和更才智的未来存储方法。  总编辑圈点  咱们的数据存储方法,早已从磁带、软盘和CD等介质,进化到了能够在很多微型晶体管中保存数据的精细半导体芯片,并且其容量能够呈指数级添加。这是一个豪举。但时至今日,硅基芯片的才能仍告缺乏——人类数据爆破式添加的一起,还要对动态数据快速地使用、剖析,不断添加的需求给存储方法不断带来新的压力。这一状况无疑将推进存储方法继续改造,终究谁会在这一次的改造中发挥最重要的效果?有人说是DNA,也有人说是单原子。全球都在注视着,这些候选者中哪个技能最早老练,或哪个能首先投入市场使用。

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